TMD 是一種最先進的半導體，由硫 (S)、硒 (Se) 和碲 (Te) 等硫屬元素分子以及過渡金屬制成。

近日，基礎科學研究所(IBS)表示，韓國多維碳材料(CMCM)中心馮丁和研究團隊已經找到了干擾大面積單晶二硫化物增強的真正標準。與來自中國的團隊合作，專家們成功釋放了核心二硫化鎢(WS2)等核心二硫化物材料，作為晶圓級單晶過渡金屬二硫化物(TMD)。引用全球經濟 ANI 報道稱，TMD 是一種最先進的半導體，由硫 (S)、硒 (Se) 和碲 (Te) 等硫屬元素分子以及過渡金屬制成。

由于在 TMD 的外圍而不是中心存在結構對稱點，因此在半導體制造過程中選擇襯底變得非常復雜。在這份研究報告中，專家和研究人員團隊展示了為 TMD 選擇優(yōu)化底層物質的原理，并將其稱為雙耦合引導外延生長方法。

還發(fā)現對于基本上像兩個反向平行結構的二硫化鎢(WS2)，在襯底上的臺階邊緣處形成的所有WS2可以使用藍寶石襯底絕緣體以單一方向排列。而且，在臺階的邊緣，晶粒穩(wěn)定地生長，然后與襯底的大小相似，它可以制作出大面積的單晶。

在大面積的 2 英寸晶圓規(guī)模內，整個研究小組還成功地推出了二硫化鉬 (MoS2)、二硒化鎢 (WSe2) 和二硒化鉬 (MoSe2) 等 TMD。該研究的結果已被評估為加快即將到來的半導體材料商業(yè)化的勢頭，該結果已在納米科學《自然技術》的權威期刊上進行了報道。事實上，幾個月前 SK 海力士和三星已經在一周前向美國商務部提供了半導體庫存數據和銷售數據。